III族氮化物系半导体激光元件[发明专利]
2021-03-11
来源：华拓网
专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：III族氮化物系半导体激光元件专利类型：发明专利
发明人：石桥明彦,大野启,泷野淳一,隅智亮申请号：CN202010607118.6申请日：20200629公开号：CN112186495A公开日：20210105
摘要：本发明的III族氮化物系半导体激光元件具备GaN基板、和设置于GaN基板之上的活性层，GaN基板的氧浓度为5×10cm以上，GaN基板对活性层的振荡波长的吸收系数大于活性层对振荡波长的吸收系数。
申请人：松下知识产权经营株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：蒋亭
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